上海恒毓电子科技有限公司
覆盆子酮

 

 

 

 

 

 

 

高压陶瓷电容

特性:

1.以钛酸钡为基片,又称低频陶瓷电容
2.介电常数高,低损耗,高阻抗
3. 容量大,体积小

用途:

适用于旁路、耦合、隔直流和滤波等电路中。
其中低损耗高压圆片瓷介电容器有较低的介质损耗,
特别适合在电视接收机的行扫描等电路。

额定值和特性:

1. 电容量:100pF to 1000pF
2. 电容量允许偏差:±10%,±20%,+80/-20%
3. 使用温度:Y:-25℃ ~ + 85℃ Z -15℃ ~ + 85℃
4.额定电压:
*額定電壓---WORKING VOLTAGE---500V以下
2.5倍的定額電壓施加1~5秒(充放電流50mA以下)無異常發生。
*額定電壓---WORKING VOLTAGE--1000V以上
2倍的定額電壓施加1~5秒(充放電流50mA以下)無異常發生。 
5. 绝缘电阻:IR≥10000MΩ @ 25℃,the rated voltage
6. 温度特性:Y5E,Y5P,Z5U,X7R,Y5V

 

TYPE OF CERAMAIC
CAPACITOR

陶瓷電容器類 型

TEMPERATURE CHARACTERISTICS 

溫度特性

CAPACIT ANCE
RANGE
容量范圍(PF)

TOLERANCE


誤差

RATED
VOLTAGE
額定電壓(VDC)

Q or DF 

品質因數或介質損耗角正切

INSULATION RESISTANCE 


絕緣電阻

CLASSⅡ:(Hi-K)
HIGH DIELECTRIC CONSTANT TYPE
高電介質  常數型 

Capacitance
Change(%)
(靜電容量變化率)                                               

 B:Y5P(+/-10%)                           
E:Z5U/Y5U(+22%/-56%)                          
F:Z5V/Y5V(+22%/-82%)

100~10,000 
1,000~22,000  
1,000~50,000
1)±10%
2)±20%
3)+80% /-20%                  
50~5K  50~5K  50~5K 1)B,E CHARACTERISTIC  
B,E特性                          
DF≦2.5% 
2)F CHARA CTERISTIC
F特性
DF≦5.0%

1)0.02uF以下 ≧10,000MΩ


2)0.02uF<C
<0.1uF 
≧7,500MΩ  

 

 

 

 

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